Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVF6003SB6T1G
NPN 12V 150mA RF Transistor, NPN Single, 12 V, 150 mA, fT = 7 GHz
Číslo dílu
NSVF6003SB6T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This RF transistor is suitable for low noise amplifier applications. CPH encapsulation has excellent heat dissipation characteristics and is suitable for high temperature environments. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.