onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVF6003SB6T1G NPN 12V 150mA RF Transistor, NPN Single, 12 V, 150 mA, fT = 7 GHz

NSVF6003SB6T1G

NPN 12V 150mA RF Transistor, NPN Single, 12 V, 150 mA, fT = 7 GHz
Číslo dílu
NSVF6003SB6T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This RF transistor is suitable for low noise amplifier applications. CPH encapsulation has excellent heat dissipation characteristics and is suitable for high temperature environments. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 67536 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NSVF6003SB6T1G
NSVF6003SB6T1G Elektronické komponenty
NSVF6003SB6T1G Odbyt
NSVF6003SB6T1G Dodavatel
NSVF6003SB6T1G Distributor
NSVF6003SB6T1G Datová tabulka
NSVF6003SB6T1G Fotky
NSVF6003SB6T1G Cena
NSVF6003SB6T1G Nabídka
NSVF6003SB6T1G Nejnižší cena
NSVF6003SB6T1G Vyhledávání
NSVF6003SB6T1G Nákup
NSVF6003SB6T1G Chip