onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSV1C201LT1G
NPN 100V 2A 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
Číslo dílu
NSV1C201LT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Low VCE(sat) bipolar transistors are miniature surface mount devices with ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These devices are designed for low-voltage, high-speed switching applications that require economical and efficient energy control.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 93359 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
NPN 100V 2A 2.0 A, 100 V, low saturation voltage, NPN bipolar transistor
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSV1C201LT1G
NSV1C201LT1G Elektronické komponenty
NSV1C201LT1G Odbyt
NSV1C201LT1G Dodavatel
NSV1C201LT1G Distributor
NSV1C201LT1G Datová tabulka
NSV1C201LT1G Fotky
NSV1C201LT1G Cena
NSV1C201LT1G Nabídka
NSV1C201LT1G Nejnižší cena
NSV1C201LT1G Vyhledávání
NSV1C201LT1G Nákup
NSV1C201LT1G Chip