onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSS35200CF8T1G PNP 35V 2A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 35 V, 2.0 A

NSS35200CF8T1G

PNP 35V 2A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 35 V, 2.0 A
Číslo dílu
NSS35200CF8T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
1206A-03
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54682 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
NSS30070MR6T1G PNP 30V 700mA 30 V, 0.7 A PNP Low V
NSS30070MR6T1G
PNP 30V 700mA 30 V, 0.7 A PNP Low V
onsemi (Ansemi)
NSS30071MR6T1G NPN 30V 700mA 30 V, 0.7 A NPN Low V
NSS30071MR6T1G
NPN 30V 700mA 30 V, 0.7 A NPN Low V
onsemi (Ansemi)
NSS30100LT1G PNP 30V 1A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 30 V, 1.0 A
NSS30100LT1G
PNP 30V 1A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 30 V, 1.0 A
onsemi (Ansemi)
NSS30101LT1G NPN 30V 1A Low Saturation Transistor, NPN, 30 V, 2.0 A
NSS30101LT1G
NPN 30V 1A Low Saturation Transistor, NPN, 30 V, 2.0 A
onsemi (Ansemi)
NSS30201MR6T1G NPN 30V 2A 30 V, 2.0 A NPN Low V
NSS30201MR6T1G
NPN 30V 2A 30 V, 2.0 A NPN Low V
onsemi (Ansemi)
NSS310 100V 3A 850mV@3A
NSS310
100V 3A 850mV@3A
SY (Shunye)
NSS35200CF8T1G PNP 35V 2A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 35 V, 2.0 A
NSS35200CF8T1G
PNP 35V 2A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 35 V, 2.0 A
onsemi (Ansemi)
NSS35200MR6T1G PNP 35V 2A Low Saturation Transistor, PNP, 35 V, 5.0 A
NSS35200MR6T1G
PNP 35V 2A Low Saturation Transistor, PNP, 35 V, 5.0 A
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSS35200CF8T1G
NSS35200CF8T1G Elektronické komponenty
NSS35200CF8T1G Odbyt
NSS35200CF8T1G Dodavatel
NSS35200CF8T1G Distributor
NSS35200CF8T1G Datová tabulka
NSS35200CF8T1G Fotky
NSS35200CF8T1G Cena
NSS35200CF8T1G Nabídka
NSS35200CF8T1G Nejnižší cena
NSS35200CF8T1G Vyhledávání
NSS35200CF8T1G Nákup
NSS35200CF8T1G Chip