onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NJVNJD35N04T4G NPN 350V 4A 4.0 A, 350 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor

NJVNJD35N04T4G

NPN 350V 4A 4.0 A, 350 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Číslo dílu
NJVNJD35N04T4G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Tube
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
This high voltage bipolar power Darlington transistor is designed for direct sensing applications such as electronic ignition, switching regulators, and motor control.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 84364 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
NJVNJD1718T4G PNP 50V 2A 2.0 A, 50 V, PNP Power Transistor
NJVNJD1718T4G
PNP 50V 2A 2.0 A, 50 V, PNP Power Transistor
onsemi (Ansemi)
NJVNJD2873T4G NPN 50V 2A 2.0 A, 50 V NPN Bipolar Power Transistor
NJVNJD2873T4G
NPN 50V 2A 2.0 A, 50 V NPN Bipolar Power Transistor
onsemi (Ansemi)
NJVNJD2873T4G-VF01 NPN 50V 2A
NJVNJD2873T4G-VF01
NPN 50V 2A
onsemi (Ansemi)
NJVNJD35N04G NPN 350V 4A 4.0 A, 350 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor
NJVNJD35N04G
NPN 350V 4A 4.0 A, 350 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi (Ansemi)
NJVNJD35N04T4G NPN 350V 4A 4.0 A, 350 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor
NJVNJD35N04T4G
NPN 350V 4A 4.0 A, 350 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NJVNJD35N04T4G
NJVNJD35N04T4G Elektronické komponenty
NJVNJD35N04T4G Odbyt
NJVNJD35N04T4G Dodavatel
NJVNJD35N04T4G Distributor
NJVNJD35N04T4G Datová tabulka
NJVNJD35N04T4G Fotky
NJVNJD35N04T4G Cena
NJVNJD35N04T4G Nabídka
NJVNJD35N04T4G Nejnižší cena
NJVNJD35N04T4G Vyhledávání
NJVNJD35N04T4G Nákup
NJVNJD35N04T4G Chip