onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NGTB50N65FL2WG
Trench Field Stop 417W 650V 100A IGBT 650V 50A FS2 Solar/UPS
Číslo dílu
NGTB50N65FL2WG
Kategorie
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-247-3
Balení
Tube
Počet balíků
30
Popis
Utilizing a durable and cost-effective Field Stop II trench structure, this Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications, along with low on-state voltage and lowest switching losses. This IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a flexible and fast co-encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 59869 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Trench Field Stop 349W 1.2kV 100A IGBT, Super Field Stop — 1200V 25A
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NGTB50N65FL2WG
NGTB50N65FL2WG Elektronické komponenty
NGTB50N65FL2WG Odbyt
NGTB50N65FL2WG Dodavatel
NGTB50N65FL2WG Distributor
NGTB50N65FL2WG Datová tabulka
NGTB50N65FL2WG Fotky
NGTB50N65FL2WG Cena
NGTB50N65FL2WG Nabídka
NGTB50N65FL2WG Nejnižší cena
NGTB50N65FL2WG Vyhledávání
NGTB50N65FL2WG Nákup
NGTB50N65FL2WG Chip