Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NGTB15N120FL2WG
Trench Field Stop 294W 1.2kV 30A IGBT 1200V 15A Solar/UPS
Číslo dílu
NGTB15N120FL2WG
Kategorie
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-247-3
Balení
Tube
Počet balíků
30
Popis
Utilizing a robust, cost-effective field-stop II Trench structure, this Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides excellent performance for demanding switching applications, offering low on-state voltage and minimizing switching losses. This IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a soft and fast combined encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.