Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NGTB40N120FL3WG
Trench Field Stop 454W 1.2kV 160A IGBT, Super Field Stop -1200V 40A
Číslo dílu
NGTB40N120FL3WG
Kategorie
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-247-3
Balení
Tube
Počet balíků
30
Popis
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) utilizes a durable and cost-effective Super Field Stop Trench structure to provide excellent performance in demanding switching applications, along with low on-state voltage and lowest switching losses. The IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a soft and fast co-encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.