VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDS356AP-VB
P-channel 30V 5.6A
Číslo dílu
NDS356AP-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SOT-23-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 62054 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 20V 1.3A N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor, 20V, 1.3A, 0.21Ω
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 1A P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor, -20V, -1A, 0.41Ω
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NDS356AP-VB
NDS356AP-VB Elektronické komponenty
NDS356AP-VB Odbyt
NDS356AP-VB Dodavatel
NDS356AP-VB Distributor
NDS356AP-VB Datová tabulka
NDS356AP-VB Fotky
NDS356AP-VB Cena
NDS356AP-VB Nabídka
NDS356AP-VB Nejnižší cena
NDS356AP-VB Vyhledávání
NDS356AP-VB Nákup
NDS356AP-VB Chip