HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDS331N-HXY
N-channel 20V 2.3A
Číslo dílu
NDS331N-HXY
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 2.3A, RDON on-resistance 55mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.5-1.2V,
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 81150 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 20V 1.3A N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor, 20V, 1.3A, 0.21Ω
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 1A P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor, -20V, -1A, 0.41Ω
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NDS331N-HXY
NDS331N-HXY Elektronické komponenty
NDS331N-HXY Odbyt
NDS331N-HXY Dodavatel
NDS331N-HXY Distributor
NDS331N-HXY Datová tabulka
NDS331N-HXY Fotky
NDS331N-HXY Cena
NDS331N-HXY Nabídka
NDS331N-HXY Nejnižší cena
NDS331N-HXY Vyhledávání
NDS331N-HXY Nákup
NDS331N-HXY Chip