onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NCD57090EDWR2G
Isolated High Current Gate Driver
Číslo dílu
NCD57090EDWR2G
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOIC-8-5.9mm
Balení
taping
Počet balíků
1000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 64356 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 7.1A Source Current 7.8A Isolated High Current IGBT Gate Driver
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink Current 6.8A Source Current 7.8A IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6A Source 4A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Independent, Non-Inverting
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 2.3A Source Current 1.9A Half Bridge Gate Driver (Isolated High Side & Non-Isolated Low Side)
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NCD57090EDWR2G
NCD57090EDWR2G Elektronické komponenty
NCD57090EDWR2G Odbyt
NCD57090EDWR2G Dodavatel
NCD57090EDWR2G Distributor
NCD57090EDWR2G Datová tabulka
NCD57090EDWR2G Fotky
NCD57090EDWR2G Cena
NCD57090EDWR2G Nabídka
NCD57090EDWR2G Nejnižší cena
NCD57090EDWR2G Vyhledávání
NCD57090EDWR2G Nákup
NCD57090EDWR2G Chip