onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MUN5312DW1T1G
1 NPN-pre-biased, 1 PNP-pre-biased 100mA 50V complementary bipolar digital transistor (BRT)
Číslo dílu
MUN5312DW1T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-363
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This family of digital transistors is suitable for replacing a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a monolithic bias network consisting of a single transistor and two resistors. Series base resistor and base resistor. The BRT eliminates the need for these separate components, which are integrated into a single device. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 60738 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MUN5312DW1T1G
MUN5312DW1T1G Elektronické komponenty
MUN5312DW1T1G Odbyt
MUN5312DW1T1G Dodavatel
MUN5312DW1T1G Distributor
MUN5312DW1T1G Datová tabulka
MUN5312DW1T1G Fotky
MUN5312DW1T1G Cena
MUN5312DW1T1G Nabídka
MUN5312DW1T1G Nejnižší cena
MUN5312DW1T1G Vyhledávání
MUN5312DW1T1G Nákup
MUN5312DW1T1G Chip