onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MUN5111DW1T1G 2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)

MUN5111DW1T1G

2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
Číslo dílu
MUN5111DW1T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-363-6(SC-70-6)
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This family of digital transistors is intended to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor and a monolithic bias network consisting of two resistors: a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates the need for these separate components by integrating them into a single device. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 84961 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MUN5111DW1T1G
MUN5111DW1T1G Elektronické komponenty
MUN5111DW1T1G Odbyt
MUN5111DW1T1G Dodavatel
MUN5111DW1T1G Distributor
MUN5111DW1T1G Datová tabulka
MUN5111DW1T1G Fotky
MUN5111DW1T1G Cena
MUN5111DW1T1G Nabídka
MUN5111DW1T1G Nejnižší cena
MUN5111DW1T1G Vyhledávání
MUN5111DW1T1G Nákup
MUN5111DW1T1G Chip