onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MJD50G NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor

MJD50G

NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
Číslo dílu
MJD50G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
DPAK-369C
Balení
Tube
Počet balíků
75
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 99925 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
MJD50G NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
MJD50G
NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
onsemi (Ansemi)
MJD50RLG NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
MJD50RLG
NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
onsemi (Ansemi)
MJD50RLG NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
MJD50RLG
NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
onsemi (Ansemi)
MJD50T4G NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
MJD50T4G
NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
onsemi (Ansemi)
MJD50TF NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V, High Voltage, NPN Bipolar Power Transistor
MJD50TF
NPN 400V 1A 1.0 A, 400 V, High Voltage, NPN Bipolar Power Transistor
onsemi (Ansemi)
MJD5731T4G PNP 350V 1A 1.0 A, 350 V, High Voltage, PNP Bipolar Power Transistor
MJD5731T4G
PNP 350V 1A 1.0 A, 350 V, High Voltage, PNP Bipolar Power Transistor
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova MJD50G
MJD50G Elektronické komponenty
MJD50G Odbyt
MJD50G Dodavatel
MJD50G Distributor
MJD50G Datová tabulka
MJD50G Fotky
MJD50G Cena
MJD50G Nabídka
MJD50G Nejnižší cena
MJD50G Vyhledávání
MJD50G Nákup
MJD50G Chip