HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HXY10N65F
N-channel 650V 10A
Číslo dílu
HXY10N65F
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulation
TO-220F
Balení
Tube
Počet balíků
50
Popis
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 650V, ID current 10A, RDON on-resistance 1.05R@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 2.0-4.0V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 79260 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova HXY10N65F
HXY10N65F Elektronické komponenty
HXY10N65F Odbyt
HXY10N65F Dodavatel
HXY10N65F Distributor
HXY10N65F Datová tabulka
HXY10N65F Fotky
HXY10N65F Cena
HXY10N65F Nabídka
HXY10N65F Nejnižší cena
HXY10N65F Vyhledávání
HXY10N65F Nákup
HXY10N65F Chip