The H11FXM series consists of an AlGaAs infrared emitting diode coupled to a symmetrical bi-directional silicon photodetector. The detector is galvanically isolated from the input like an ideally isolated FET, suitable for distortion-free control of low-level AC and DC analog signals. The H11FXM series devices are installed in a two-wire in-capsulation.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.