HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD50N06-HXY
N-channel 60V 50A
Číslo dílu
FQD50N06-HXY
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulation
TO-252-2L
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
N-channel, VDSS withstand voltage 60V, ID current 50A, RDON on-resistance 15mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1.2-2.5V,
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 61805 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 600V 2.8A Power MOSFET, N-Channel, QFET, 600 V, 2.8 A, 2.5 Ω, DPAK
onsemi (Ansemi)
P-Channel 200V 3.7A Power MOSFET, P-Channel, QFET, -200 V, -3.7 A, 1.4 Ω, DPAK
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FQD50N06-HXY
FQD50N06-HXY Elektronické komponenty
FQD50N06-HXY Odbyt
FQD50N06-HXY Dodavatel
FQD50N06-HXY Distributor
FQD50N06-HXY Datová tabulka
FQD50N06-HXY Fotky
FQD50N06-HXY Cena
FQD50N06-HXY Nabídka
FQD50N06-HXY Nejnižší cena
FQD50N06-HXY Vyhledávání
FQD50N06-HXY Nákup
FQD50N06-HXY Chip