onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDT3612 N-Channel 100V 3.7A N-Channel, Power Trench MOSFET, 100V, 3.7A, 120mΩ

FDT3612

N-Channel 100V 3.7A N-Channel, Power Trench MOSFET, 100V, 3.7A, 120mΩ
Číslo dílu
FDT3612
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-223
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
This N-channel MOSFET is designed to increase the overall efficiency of DC/DC converters and can be used with synchronous switching PWM controllers or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs switch faster and have lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The MOSFET is therefore easier to drive, safer (even at very high frequencies), and the overall efficiency of the DC/DC power supply design is higher.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 80762 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDT3612
FDT3612 Elektronické komponenty
FDT3612 Odbyt
FDT3612 Dodavatel
FDT3612 Distributor
FDT3612 Datová tabulka
FDT3612 Fotky
FDT3612 Cena
FDT3612 Nabídka
FDT3612 Nejnižší cena
FDT3612 Vyhledávání
FDT3612 Nákup
FDT3612 Chip