VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP8896-VB
FDP8896-VB
Číslo dílu
FDP8896-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
TO220
Balení
Tube
Počet balíků
50
Popis
N-channel, 30V, 120A, RDS(ON), 3mΩ@10V, 4mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.7Vth(V); TO220
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 74426 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 100V 76A N-Channel, PowerTrench MOSFET, Shielded Gate, 100V, 76A, 8.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDP8896-VB
FDP8896-VB Elektronické komponenty
FDP8896-VB Odbyt
FDP8896-VB Dodavatel
FDP8896-VB Distributor
FDP8896-VB Datová tabulka
FDP8896-VB Fotky
FDP8896-VB Cena
FDP8896-VB Nabídka
FDP8896-VB Nejnižší cena
FDP8896-VB Vyhledávání
FDP8896-VB Nákup
FDP8896-VB Chip