Koupit onsemi (Ansemi) FDN357N N-Channel 30V 1.9A N-Channel, Logic Level Enhancement Field Effect Transistor, 30V, 1.9A, 90mΩ

onsemi (Ansemi)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

FDN357N

N-Channel 30V 1.9A N-Channel, Logic Level Enhancement Field Effect Transistor, 30V, 1.9A, 90mΩ

Číslo dílu

FDN357N

Kategorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Výrobce/značka

onsemi (Ansemi)

Encapsulation

SOT-23

Balení

taping

Počet balíků

3000

Popis

SuperSOT-3 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using a high cell density DMOS proprietary technology. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. These devices are ideal for low-voltage applications such as notebook computers, cell phones, PCMCIA cards, and other battery-powered circuits, where fast switching and low in-line power losses are required in very small surface-mount encapsulations.

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 87032 PCS

Kontaktní informace