VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN306P-VB
P-channel 20V 5A
Číslo dílu
FDN306P-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SOT-23-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 65319 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 2.6A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -12V, -2.6A, 40mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 1.5A P-channel, 2.5V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -1.5A, 125mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDN306P-VB
FDN306P-VB Elektronické komponenty
FDN306P-VB Odbyt
FDN306P-VB Dodavatel
FDN306P-VB Distributor
FDN306P-VB Datová tabulka
FDN306P-VB Fotky
FDN306P-VB Cena
FDN306P-VB Nabídka
FDN306P-VB Nejnižší cena
FDN306P-VB Vyhledávání
FDN306P-VB Nákup
FDN306P-VB Chip