TECH PUBLIC (Taizhou)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN352AP
FDN352AP
Číslo dílu
FDN352AP
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
TECH PUBLIC (Taizhou)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 59796 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 2.6A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -12V, -2.6A, 40mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 1.5A P-channel, 2.5V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -1.5A, 125mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDN352AP
FDN352AP Elektronické komponenty
FDN352AP Odbyt
FDN352AP Dodavatel
FDN352AP Distributor
FDN352AP Datová tabulka
FDN352AP Fotky
FDN352AP Cena
FDN352AP Nabídka
FDN352AP Nejnižší cena
FDN352AP Vyhledávání
FDN352AP Nákup
FDN352AP Chip