MSKSEMI (Mesenco)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN338P
P channel-2A-20V
Číslo dílu
FDN338P
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
MSKSEMI (Mesenco)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 2A Power (Pd): 1.56W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 110Ω@-4.5V,- 2A threshold voltage (Vgs(th)@Id): -1.3V@250uA
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 86661 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 2.6A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -12V, -2.6A, 40mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 1.5A P-channel, 2.5V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -1.5A, 125mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDN338P
FDN338P Elektronické komponenty
FDN338P Odbyt
FDN338P Dodavatel
FDN338P Distributor
FDN338P Datová tabulka
FDN338P Fotky
FDN338P Cena
FDN338P Nabídka
FDN338P Nejnižší cena
FDN338P Vyhledávání
FDN338P Nákup
FDN338P Chip