HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN337N-HXY
N communication 30V 5A
Číslo dílu
FDN337N-HXY
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Field effect transistor (MOSFET) N-channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 5A, RDON on-resistance 40mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.4-1.2V,
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51472 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 2.6A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -12V, -2.6A, 40mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 1.5A P-channel, 2.5V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -1.5A, 125mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDN337N-HXY
FDN337N-HXY Elektronické komponenty
FDN337N-HXY Odbyt
FDN337N-HXY Dodavatel
FDN337N-HXY Distributor
FDN337N-HXY Datová tabulka
FDN337N-HXY Fotky
FDN337N-HXY Cena
FDN337N-HXY Nabídka
FDN337N-HXY Nejnižší cena
FDN337N-HXY Vyhledávání
FDN337N-HXY Nákup
FDN337N-HXY Chip