onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDME1024NZT 2x N-Channel 20V 3.8A Dual N-Channel, Power Trench MOSFET, 20V, 3.8A, 66mΩ

FDME1024NZT

2x N-Channel 20V 3.8A Dual N-Channel, Power Trench MOSFET, 20V, 3.8A, 66mΩ
Číslo dílu
FDME1024NZT
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
MicroFET(1.6x1.6)
Balení
taping
Počet balíků
5000
Popis
This device is specifically designed as a single encapsulation solution for the dual switch requirements in cell phones and other ultra-portable applications. It features two independent N-channel MOSFETs with low on-resistance for lowest conduction losses. The MicroFET 1.6x1.6 thin encapsulation provides excellent thermal performance for its physical size and is ideal for switching and linear mode applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 98416 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDME1024NZT
FDME1024NZT Elektronické komponenty
FDME1024NZT Odbyt
FDME1024NZT Dodavatel
FDME1024NZT Distributor
FDME1024NZT Datová tabulka
FDME1024NZT Fotky
FDME1024NZT Cena
FDME1024NZT Nabídka
FDME1024NZT Nejnižší cena
FDME1024NZT Vyhledávání
FDME1024NZT Nákup
FDME1024NZT Chip