VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDG6332C-VB
FDG6332C-VB
Číslo dílu
FDG6332C-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SC70-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
N+P channel, ±20V, 2.5/-1.5A, RDS(ON), 130/230mΩ@4.5V, 160/280mΩ@2.5V, 20Vgs(±V); ±0.6~2Vth(V); SC70- 6
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 57314 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2x N-Channel 20V 700mA Dual 20V N-Channel PowerTrench MOSFETs, 0.7 A, 400 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDG6332C-VB
FDG6332C-VB Elektronické komponenty
FDG6332C-VB Odbyt
FDG6332C-VB Dodavatel
FDG6332C-VB Distributor
FDG6332C-VB Datová tabulka
FDG6332C-VB Fotky
FDG6332C-VB Cena
FDG6332C-VB Nabídka
FDG6332C-VB Nejnižší cena
FDG6332C-VB Vyhledávání
FDG6332C-VB Nákup
FDG6332C-VB Chip