onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDG6304P Dual P-Channel, Digital FET, -25V, 0.41A, 1.1Ω

FDG6304P

Dual P-Channel, Digital FET, -25V, 0.41A, 1.1Ω
Číslo dílu
FDG6304P
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-363
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
These dual P-channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a high cell density DMOS proprietary process. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. This device is designed to replace bipolar digital transistors and small signal MOSFETs in low voltage applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 59757 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDG6304P
FDG6304P Elektronické komponenty
FDG6304P Odbyt
FDG6304P Dodavatel
FDG6304P Distributor
FDG6304P Datová tabulka
FDG6304P Fotky
FDG6304P Cena
FDG6304P Nabídka
FDG6304P Nejnižší cena
FDG6304P Vyhledávání
FDG6304P Nákup
FDG6304P Chip