onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDD306P P-channel 12V 6.7A P-channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET, -12V, -6.7A, 28mΩ

FDD306P

P-channel 12V 6.7A P-channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET, -12V, -6.7A, 28mΩ
Číslo dílu
FDD306P
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
This P-channel 1.8V specified MOSFET is manufactured in an advanced low voltage PowerTrench process. This product is optimized for battery management.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 72843 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDD306P
FDD306P Elektronické komponenty
FDD306P Odbyt
FDD306P Dodavatel
FDD306P Distributor
FDD306P Datová tabulka
FDD306P Fotky
FDD306P Cena
FDD306P Nabídka
FDD306P Nejnižší cena
FDD306P Vyhledávání
FDD306P Nákup
FDD306P Chip