onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDC8878
N-Channel 30V 8A 8A N-Channel PowerTrench MOSFET, 30 V, 8.0 A, 16 mΩ
Číslo dílu
FDC8878
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SSOT-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench process optimized for rDS(on), switching performance.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 72013 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 30V 6.1A N-Channel, PowerTrench MOSFET, Logic Level, 30V, 6.1A, 27 mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 150V 2.3A N-Channel, Shielded Gate, Power Trench MOSFET, 150 V, 2.3 A, 144 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDC8878
FDC8878 Elektronické komponenty
FDC8878 Odbyt
FDC8878 Dodavatel
FDC8878 Distributor
FDC8878 Datová tabulka
FDC8878 Fotky
FDC8878 Cena
FDC8878 Nabídka
FDC8878 Nejnižší cena
FDC8878 Vyhledávání
FDC8878 Nákup
FDC8878 Chip