TECH PUBLIC (Taizhou)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDC655BN
FDC655BN
Číslo dílu
FDC655BN
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
TECH PUBLIC (Taizhou)
Encapsulation
SOT-23-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 95356 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
P-Channel 20V 5.5A P-Channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -5.5A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 6A P-channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V specified, -12V, -6A, 26mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 2.7A Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 2.7A, 80mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDC655BN
FDC655BN Elektronické komponenty
FDC655BN Odbyt
FDC655BN Dodavatel
FDC655BN Distributor
FDC655BN Datová tabulka
FDC655BN Fotky
FDC655BN Cena
FDC655BN Nabídka
FDC655BN Nejnižší cena
FDC655BN Vyhledávání
FDC655BN Nákup
FDC655BN Chip