VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDC6301N-VB
FDC6301N-VB
Číslo dílu
FDC6301N-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SOT23-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
N-channel, 20V, 4.8A, RDS(ON), 22mΩ@4.5V, 28mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); 1.2~2.2Vth(V); SOT23-6
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 79767 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
P-Channel 20V 5.5A P-Channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -5.5A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 6A P-channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V specified, -12V, -6A, 26mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 2.7A Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 2.7A, 80mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDC6301N-VB
FDC6301N-VB Elektronické komponenty
FDC6301N-VB Odbyt
FDC6301N-VB Dodavatel
FDC6301N-VB Distributor
FDC6301N-VB Datová tabulka
FDC6301N-VB Fotky
FDC6301N-VB Cena
FDC6301N-VB Nabídka
FDC6301N-VB Nejnižší cena
FDC6301N-VB Vyhledávání
FDC6301N-VB Nákup
FDC6301N-VB Chip