VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDB86102LZ-VB
FDB86102LZ-VB
Číslo dílu
FDB86102LZ-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
TO263
Balení
Tube
Počet balíků
50
Popis
N-channel, 100V, 70A, RDS(ON), 18mΩ@10V, 22mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 2Vth(V); TO263
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 69723 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 100V 75A N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET, 100V, 176A, 3.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDB86102LZ-VB
FDB86102LZ-VB Elektronické komponenty
FDB86102LZ-VB Odbyt
FDB86102LZ-VB Dodavatel
FDB86102LZ-VB Distributor
FDB86102LZ-VB Datová tabulka
FDB86102LZ-VB Fotky
FDB86102LZ-VB Cena
FDB86102LZ-VB Nabídka
FDB86102LZ-VB Nejnižší cena
FDB86102LZ-VB Vyhledávání
FDB86102LZ-VB Nákup
FDB86102LZ-VB Chip