onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EFC4C012NLTDG
EFC4C012NLTDG
Číslo dílu
EFC4C012NLTDG
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
WLCSP-6
Balení
taping
Počet balíků
5000
Popis
This N-Channel Power MOSFET is produced using ON Semiconductor's trench technology, which is specially designed to minimize gate charge and achieve ultra-low on-resistance. This device is suitable for notebook computer applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 94883 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Dual N-Channel Power MOSFETs for 1 to 2 Cell Li-Ion Battery Protection, 24V, 6A, 45mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel (Common Drain) Dual N-Channel Power MOSFETs for 3-Cell Li-Ion Battery Protection, 30 V, 30 A, 2.6 mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel (common drain) Dual N-Channel Power MOSFET 22V, 25A, 3.55mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-channel (half-bridge) dual N-channel power MOSFETs 24V, 25A, 2.95mΩ.
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova EFC4C012NLTDG
EFC4C012NLTDG Elektronické komponenty
EFC4C012NLTDG Odbyt
EFC4C012NLTDG Dodavatel
EFC4C012NLTDG Distributor
EFC4C012NLTDG Datová tabulka
EFC4C012NLTDG Fotky
EFC4C012NLTDG Cena
EFC4C012NLTDG Nabídka
EFC4C012NLTDG Nejnižší cena
EFC4C012NLTDG Vyhledávání
EFC4C012NLTDG Nákup
EFC4C012NLTDG Chip