DIODES (US and Taiwan)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A FET

DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A FET
Číslo dílu
DMG6601LVT-7
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
DIODES (US and Taiwan)
Encapsulation
SOT-26
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 77645 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7 Elektronické komponenty
DMG6601LVT-7 Odbyt
DMG6601LVT-7 Dodavatel
DMG6601LVT-7 Distributor
DMG6601LVT-7 Datová tabulka
DMG6601LVT-7 Fotky
DMG6601LVT-7 Cena
DMG6601LVT-7 Nabídka
DMG6601LVT-7 Nejnižší cena
DMG6601LVT-7 Vyhledávání
DMG6601LVT-7 Nákup
DMG6601LVT-7 Chip