Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMG1012T-7-HXY
N-channel 20V 0.8A
Číslo dílu
DMG1012T-7-HXY
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulation
SOT-523
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 0.8A, RDON on-resistance 2.4mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.5-1.0V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.