AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM55P10D P-channel 100V 30A 52mΩ

AGM55P10D

P-channel 100V 30A 52mΩ
Číslo dílu
AGM55P10D
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 30A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 52mΩ@10V,10A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 73nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 4.507nF@50V, Vds=100V Id=30A Rds=52mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 96719 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM55P10D
AGM55P10D Elektronické komponenty
AGM55P10D Odbyt
AGM55P10D Dodavatel
AGM55P10D Distributor
AGM55P10D Datová tabulka
AGM55P10D Fotky
AGM55P10D Cena
AGM55P10D Nabídka
AGM55P10D Nejnižší cena
AGM55P10D Vyhledávání
AGM55P10D Nákup
AGM55P10D Chip