AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM3400E
AGM3400E
Číslo dílu
AGM3400E
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
SOT-23-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 5.6A Power (Pd): 1.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V, 5.6A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.9V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 17nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.63nF@15V , Vds=30V Id=5.6A Rds=20mΩ , Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 62044 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AGM3400E
AGM3400E Elektronické komponenty
AGM3400E Odbyt
AGM3400E Dodavatel
AGM3400E Distributor
AGM3400E Datová tabulka
AGM3400E Fotky
AGM3400E Cena
AGM3400E Nabídka
AGM3400E Nejnižší cena
AGM3400E Vyhledávání
AGM3400E Nákup
AGM3400E Chip