AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM301C1 N-channel 30V 150A 1.7mΩ

AGM301C1

N-channel 30V 150A 1.7mΩ
Číslo dílu
AGM301C1
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-220
Balení
Tube
Počet balíků
50
Popis
Field effect transistor (MOSFET) type: N-channel drain-source voltage (Vdss): 30V continuous drain current (Id): 150A power (Pd): 130W on-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.7mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 99nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.6nF@15V ,Vds=30V Id=150A Rds=1.7mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 84711 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM301C1
AGM301C1 Elektronické komponenty
AGM301C1 Odbyt
AGM301C1 Dodavatel
AGM301C1 Distributor
AGM301C1 Datová tabulka
AGM301C1 Fotky
AGM301C1 Cena
AGM301C1 Nabídka
AGM301C1 Nejnižší cena
AGM301C1 Vyhledávání
AGM301C1 Nákup
AGM301C1 Chip