Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM30P20AP
AGM30P20AP
Číslo dílu
AGM30P20AP
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
PDFN3x3
Balení
taping
Počet balíků
5000
Popis
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 30V Continuous Drain current (Id): 18A Power (Pd): 28W On-resistance (RDS(on)@Vgs, Id: 18mΩ@10V, 5A Threshold voltage (Vgs (th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 12nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.86nF@15V, Vds=30v Id=18A Rds=18mΩ, operating temperature: - 55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.