AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM30P12M P+P channel 30V 14A 10mΩ

AGM30P12M

P+P channel 30V 14A 10mΩ
Číslo dílu
AGM30P12M
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
SOP-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 14A Power (Pd): 3.6W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V, 8A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.65nF@15V , Vds=30V Id= 14A Rds=10mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) ;
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 98569 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM30P12M
AGM30P12M Elektronické komponenty
AGM30P12M Odbyt
AGM30P12M Dodavatel
AGM30P12M Distributor
AGM30P12M Datová tabulka
AGM30P12M Fotky
AGM30P12M Cena
AGM30P12M Nabídka
AGM30P12M Nejnižší cena
AGM30P12M Vyhledávání
AGM30P12M Nákup
AGM30P12M Chip