AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM30P08D
AGM30P08D
Číslo dílu
AGM30P08D
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 30V Continuous drain current (Id): 60A Power (Pd): 60W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 7.2mΩ@10V, 20A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 32nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.497nF@30V, Vds=30v Id=60A Rds=7.2mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 74029 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AGM30P08D
AGM30P08D Elektronické komponenty
AGM30P08D Odbyt
AGM30P08D Dodavatel
AGM30P08D Distributor
AGM30P08D Datová tabulka
AGM30P08D Fotky
AGM30P08D Cena
AGM30P08D Nabídka
AGM30P08D Nejnižší cena
AGM30P08D Vyhledávání
AGM30P08D Nákup
AGM30P08D Chip