Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM30P05D
P-channel 30V 75A 5.5mΩ
Číslo dílu
AGM30P05D
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 75A Power (Pd): 59.5W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 5.5mΩ @10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 32nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.497nF@30V ,Vds=30v Id=75A Rds= 5.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.