AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM30P05AP P-channel 30V 60A 5.5mΩ

AGM30P05AP

P-channel 30V 60A 5.5mΩ
Číslo dílu
AGM30P05AP
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
PDFN3x3
Balení
taping
Počet balíků
5000
Popis
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 60W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 5.5mΩ@ 10V, 15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 32nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.497nF@30V , Vds=30v Id=60A Rds=5.5 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 70043 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM30P05AP
AGM30P05AP Elektronické komponenty
AGM30P05AP Odbyt
AGM30P05AP Dodavatel
AGM30P05AP Distributor
AGM30P05AP Datová tabulka
AGM30P05AP Fotky
AGM30P05AP Cena
AGM30P05AP Nabídka
AGM30P05AP Nejnižší cena
AGM30P05AP Vyhledávání
AGM30P05AP Nákup
AGM30P05AP Chip