Koupit AGM-Semi (core control source) AGM306C N-channel 30V 60A 5.7mΩ

AGM-Semi (core control source)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

AGM306C

N-channel 30V 60A 5.7mΩ

Číslo dílu

AGM306C

Kategorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Výrobce/značka

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

TO-220

Balení

Tube

Počet balíků

Popis

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 51W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.7mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 34nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.07nF@15V ,Vds=30V Id=60A Rds=5.7mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 54063 PCS

Kontaktní informace