AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM14N10D AGM14N10D

AGM14N10D

AGM14N10D
Číslo dílu
AGM14N10D
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 68W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,12A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 30.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.09nF@50V, Vds=100V Id=50A Rds=12mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj);
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 81099 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM14N10D
AGM14N10D Elektronické komponenty
AGM14N10D Odbyt
AGM14N10D Dodavatel
AGM14N10D Distributor
AGM14N10D Datová tabulka
AGM14N10D Fotky
AGM14N10D Cena
AGM14N10D Nabídka
AGM14N10D Nejnižší cena
AGM14N10D Vyhledávání
AGM14N10D Nákup
AGM14N10D Chip