AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM14N10A AGM14N10A

AGM14N10A

AGM14N10A
Číslo dílu
AGM14N10A
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
DFN5x6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 68W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,12A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 30.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.09nF@50V, Vds=100V Id=50A Rds=12mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52225 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM14N10A
AGM14N10A Elektronické komponenty
AGM14N10A Odbyt
AGM14N10A Dodavatel
AGM14N10A Distributor
AGM14N10A Datová tabulka
AGM14N10A Fotky
AGM14N10A Cena
AGM14N10A Nabídka
AGM14N10A Nejnižší cena
AGM14N10A Vyhledávání
AGM14N10A Nákup
AGM14N10A Chip