Triode/MOS tube/transistor/module
NPN Vo=50V Io=0.8A PD=0.2W R1=4.7K R2=4.7K
Popis
P-channel, -30V, -35A, 0.01Ω@-10V
Popis
DIODES (US and Taiwan)
Výrobci
Dual N-channel, 20V, 8A, 24mΩ@4.5V
Popis
SPS (American source core)
Výrobci
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Výrobci
NPN, Vceo=30V, Ic=800mA, hfe=100~200
Popis
PNP, Vceo=150V, Ic=600mA
Popis
N-channel, 20V, 6A, 0.03Ω@4.5V
Popis
ST (STMicroelectronics)
Výrobci
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
Výrobci
PANJIT (Qiangmao)
Výrobci
DIODES (US and Taiwan)
Výrobci
MSKSEMI (Mesenco)
Výrobci
Transistor type: 1 NPN-pre-biased Power (Pd): 200mW Collector current (Ic): 100mA Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 50V NPN, Vcc=50V, Io=100mA, Pd=200mW
Popis
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Výrobci
NPN, Vceo=30V, Ic=0.1A, hfe=200~450
Popis