Triode/MOS tube/transistor/module
AGM-Semi (core control source)
Výrobci
APM (Jonway Microelectronics)
Výrobci
DIODES (US and Taiwan)
Výrobci
DIODES (US and Taiwan)
Výrobci
TOSHIBA (Toshiba)
Výrobci
DIODES (US and Taiwan)
Výrobci
Slkor (Sakor Micro)
Výrobci
Type NPN IC(A) 1 VCBO(V) 120 VCEO(V) 100 VEBO(V) 5 VCE(sat)(V) 0.6
Popis
APM (Jonway Microelectronics)
Výrobci
SINO-IC (Coslight Core)
Výrobci
Infineon (Infineon)
Výrobci
XINLUDA (Xinluda)
Výrobci
Interfaces - Drivers, Receivers, Transceivers 7/0
Popis
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Výrobci
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 5A Power (Pd): 3.1W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 63mΩ @10V
Popis
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 20 ID(A)Max. 100 VGS(th)(v) 1.6 RDS(ON)(m?)@4.364V 6.7 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 3 Qgd(nC) 15 Ciss(pF) 2100 Coss(pF) 326 Crss(pF) 282
Popis