Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SQJ992EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Číslo dílu
SQJ992EP-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Výkon - Max
34W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
56.2 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
446pF @ 30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30658 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQJ992EP-T1_GE3
SQJ992EP-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJ992EP-T1_GE3 Odbyt
SQJ992EP-T1_GE3 Dodavatel
SQJ992EP-T1_GE3 Distributor
SQJ992EP-T1_GE3 Datová tabulka
SQJ992EP-T1_GE3 Fotky
SQJ992EP-T1_GE3 Cena
SQJ992EP-T1_GE3 Nabídka
SQJ992EP-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJ992EP-T1_GE3 Vyhledávání
SQJ992EP-T1_GE3 Nákup
SQJ992EP-T1_GE3 Chip