Koupit Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

SIZ998DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Číslo dílu

SIZ998DT-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-PowerWDFN

Výkon - Max

20.2W, 32.9W

Dodavatelský balíček zařízení

8-PowerPair®

Typ FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Funkce FET

Standard

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

20A (Tc), 60A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 15V, 2620pF @ 15V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 43694 PCS

Kontaktní informace

Související produkty