Koupit Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

Číslo dílu

SIZ926DT-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-PowerWDFN

Výkon - Max

20.2W, 40W

Dodavatelský balíček zařízení

8-PowerPair® (6x5)

Typ FET

2 N-Channel (Dual)

Funkce FET

Standard

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

25V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

40A (Tc), 60A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 23980 PCS

Kontaktní informace

Související produkty